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EUV光源的技术基本只掌握在花旗国Cymer公司手中,星光科技公司作为一家华夏公司,基本上不可能与対方达成技术合作,因为花旗国政府,就不会同意。
EUV光刻机——顶级科学与顶级制造的结合。
EUV波长只有13.5nm,穿透物体时散射吸收强度较大,这使得光刻机的光源功率要求极高,此外机器内部需是真空环境,避免空气对EUV的吸收,透镜和反射镜系统也极致精密,配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也需要更先进技术去提升。
一台EUV光刻机重达180吨,超过10万个零件,需要40个集装箱运输,安装调试都要超过一年时间。
总之,EUV光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限。
所以EUV不仅是顶级科学的研究,也是顶级精密制造的学问。
二零一零年首发EUV光刻机,目前成为全球唯一一家EUV光刻机供应商。
二零一零年,阿斯慢首次发售概念性的EUV光刻系统NXW:3100,从而开启光刻系统的新时代。
二零一三年,阿斯慢发售第二代EUV系统NXE:3300B,但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。
今年又推出了第三代EUV系统NXE:3350,但仍然只是试产的性质。
历史上,阿斯慢公司要到明年,也就是二零一六年,第一批面向制造的EUV系统NXE:3400B,才会开始批量发售,
NXE:3400B的光学与机电系统的技术有所突破,极紫外光源的波长缩短至13nm,每小时处理晶圆125片,或每天可1500片。
连续4周的平均生产良率可达80%,兼具高生产率与高精度。
三年后推出的NXE:3400C,更是将产能提高到每小时处理晶圆175片。
目前,阿斯慢在售的EUV光刻机包括NXE:3300B和NXE:3400C两种机型。
EUV成功来源于阿斯慢光刻机上游产业链的贯通。
在EUV光刻机超过10万个零件之中,来自硅谷光科集团的微激光系统、德国蔡司的镜头和Cymer的EUV光源是最重要的三环。
一九九七年英特尔牵头创办了EUVLLC联盟,随后阿斯慢作为惟一的光刻设备生产商加入联盟,共享研究成果;二零零零年,阿斯慢收购了花旗国光刻机巨头SVGL(硅谷光刻集团);二零一二年,阿斯慢收购EUV光源提供商Cymer,此前Cymer就和阿斯慢已经合作已久。
二零一六年,阿斯慢公司取得光学镜片龙头,德国蔡司百分之二十四点九的股份,以加快推进更大数值孔径(NA)的EUV光学系统。
这些收购使得阿斯慢几乎参与了整个EUV光刻上游产业链。
但收购花旗国企业的过程,使阿斯慢必须同意,在花旗国建立一所工厂,和一个研发中心,以此满足所有花旗国本土的产能需求。
另外,还需要保证百分之五十五的零部件,均从美国供应商处采购,并接受定期审查,这也为日后阿斯慢,向华夏国出口光刻机受到花旗国管制埋下了伏笔。
EUV设备在下游市场供不应求。
由于上游零部件供应不足(如蔡司的镜头),阿斯慢的EUV光刻机产量一直不高,而下游市场对7nm制程的需求却十分旺盛。
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